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KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備
閱讀：229 發布時間：2024-1-2紅外截止濾光片 (IRCF) 是利用精密光學鍍膜技術在光學基片上交替鍍上高低折射率的光學膜, 實現可見光區（400nm-630nm）高透, 近紅外（700nm-1100nm）截止的光學濾光片, 主要應用于可拍照手機攝像頭、電腦內置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數碼成像領域, 用于消除紅外光線對 CCD/CMOS 成像的影響. 通過在成像系統中加入紅外截止濾光片, 阻擋該部分干擾成像質量的紅外光, 可以使所成影像更加符合人眼的感覺. 上海伯東某客戶為精密光學鍍膜產品生產商, 經過伯東推薦選用國產鍍膜機加裝美國進口 KRi 霍爾離子源完成 IR-cut 工藝過程, 保證工藝效果, 提高生產效率.
KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備
1. 應用方向: 離子清洗, 輔助沉積
2. 鍍膜機型: 1米7 的大型蒸鍍設備, 配置美國 KRi 霍爾離子源 eH 3000
3. 測試環境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續 1,500 小時高溫高濕嚴苛環境測試
4. 鍍膜材料: Ti305+Si02
結果表明采用上海伯東美國進口 KRI 霍爾離子源, 可以獲得較高折射率的TI3O5膜層, 通過多次驗證, KRI 離子源輔助鍍膜可以獲得穩定的膜層結構.
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護.
霍爾離子源 eH 系列在售型號:
型號 | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
陽極電壓 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
離子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根據實際應用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根據實際應用 |
本體高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根據實際應用 |
直徑 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根據實際應用 |
水冷 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 | 根據實際應用 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
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上海伯東: 羅小姐