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KRI 射頻離子源應用于多層膜磁控濺鍍設備
閱讀：263 發布時間：2023-4-10上海伯東代理美國 KRI 射頻離子源應用于多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter, 通過使用 KRI 射頻離子源可實現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 膜基附著力更好, 膜層不易脫落.
多層膜的結構廣泛用于各個領域, 而對于精密系統則需要更嚴格的規格, 包括光, 聲音和電子組件. 在單一材料薄膜無法滿足所需規格的精密系統中, 高質量多層膜的作用變得越來越重要. 因此, 新材料的開發和薄膜的精確控制制程已成為當前多層薄膜研究的重要方向. 特殊設計的多層膜磁控濺鍍系統擁有基板公自轉機構, 可實現精準的多層膜結構并可以一次批量生產.
多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter 載臺可公自轉或定在靶材位置自轉
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數:
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經 40 年改良及發展已取得多項專. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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上海伯東: 羅先生